盡管半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)今年成長(zhǎng)恐將趨緩，全球半導(dǎo)體業(yè)產(chǎn)值將僅較去年小幅成長(zhǎng)2%至3%，不過(guò)，臺(tái)積電與聯(lián)電擴(kuò)產(chǎn)腳步絲毫不敢松懈。

　　繼臺(tái)積電于4月9日舉行南科晶圓14廠第5期新建工程動(dòng)土典禮后，聯(lián)電也將跟進(jìn)于5月24日舉行南科12A廠第5期及第6期廠房動(dòng)土典禮。

　　為滿足客戶28奈米制程強(qiáng)勁需求，以及加速20奈米制程開發(fā)時(shí)程，臺(tái)積電決定將今年資本支出自原本預(yù)估的60億美元，大幅調(diào)高到80億至85億美元，調(diào)幅達(dá)33%至41%。

　　聯(lián)電今年資本支出也將達(dá)20億美元規(guī)模。

　　臺(tái)積電估計(jì)，今年總產(chǎn)能將達(dá)1483.4萬(wàn)片8寸約當(dāng)晶圓規(guī)模，將較去年增加12%；其中，12寸晶圓產(chǎn)能將較去年增加17%，預(yù)計(jì)今年底12寸晶圓產(chǎn)能比重將達(dá)58%，躍居臺(tái)積電主力。

　　臺(tái)積電預(yù)計(jì)，中科15廠于4月量產(chǎn)，年底將有5萬(wàn)片28奈米制程產(chǎn)能，將是有史以來(lái)量產(chǎn)速度*快的超大晶圓廠，明年第1季將可滿足客戶對(duì)28奈米制程產(chǎn)能的需求。

　　聯(lián)電雖然上半年產(chǎn)能將僅微幅增加，不過(guò)，隨著新產(chǎn)能陸續(xù)開出，今年總產(chǎn)能將可較去年增加4%，其中，12寸晶圓產(chǎn)能將較去年增加達(dá)8%。

　　為更長(zhǎng)遠(yuǎn)發(fā)展規(guī)劃，聯(lián)電已向南科管理局談妥12A廠第7期及第8期廠房用地，將在第5期及第6期廠房興建完成后，再視市場(chǎng)狀況決定興建時(shí)程。

　　12寸晶圓產(chǎn)能同為臺(tái)積電與聯(lián)電擴(kuò)產(chǎn)重點(diǎn)，不過(guò)，在積極擴(kuò)充先進(jìn)制程產(chǎn)能的同時(shí)，兩家公司也一致努力開發(fā)特殊制程技術(shù)。如臺(tái)積電今年即計(jì)劃斥資2億美元開發(fā)嵌入式快閃記憶體等特殊制程技術(shù)。

　　為因應(yīng)近年龐大資本支出資金需求，臺(tái)積電與聯(lián)電也同時(shí)計(jì)劃舉債籌資；其中，聯(lián)電計(jì)劃發(fā)行新臺(tái)幣100億元無(wú)擔(dān)保普通公司債，75億元額度為5年期公司債，25億元為7年期公司債。

　　臺(tái)積電也透露，將以發(fā)行公司債為籌資優(yōu)先考量。

　　除了臺(tái)積電與聯(lián)電外，中國(guó)大陸晶圓代工廠中芯國(guó)際也積極展開擴(kuò)產(chǎn)，日前宣布將合資成立新公司，在北京12寸晶圓廠進(jìn)行第2期廠房擴(kuò)建計(jì)劃，新廠月產(chǎn)能約7萬(wàn)片規(guī)模，預(yù)期晶圓代工業(yè)競(jìng)爭(zhēng)態(tài)勢(shì)仍將激烈。